Kioxia, bellek çözümlerinde dünya lideri bir şirket olarak, bugün yüksek AÇIK akımına ve aynı anda ultra düşük KAPALI akımına sahip bir oksit yarı iletken transistörden oluşan yeni bir 4F2 DRAM türü olan OCTRAM (Oksit-Yarı İletken Kanallı Transistör DRAM) teknolojisini geliştirdiğini duyurdu. Bu teknolojinin, InGaZnO(1) transistörünün ultra düşük sızıntı özelliğini ortaya çıkararak düşük güçlü bir DRAM gerçekleştirmesi bekleniyor. Bu gelişme ilk olarak 9 Aralık 2024 tarihinde San Francisco, CA'da düzenlenen IEEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı'nda (IEDM) duyuruldu. Bu başarı, Nanya Technology ve Kioxia Corporation tarafından ortaklaşa geliştirildi. Bu teknoloji, yapay zeka ve 5G sonrası iletişim sistemleri ve IoT ürünleri dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalarda güç tüketimini düşürme potansiyeline sahip.
OCTRAM, hücre transistörü olarak silindir şeklinde bir InGaZnO dikey transistör (Şekil 1) kullanır. Bu tasarım, geleneksel silikon tabanlı 6F2 DRAM'e kıyasla bellek yoğunluğunda önemli avantajlar sunan bir 4F2 DRAM'in uyarlanmasını sağlar.
InGaZnO dikey transistörü, cihaz ve süreç optimizasyonu yoluyla 15μA/hücrenin (1.5 x 10-5 A/hücre) üzerinde yüksek bir AÇIK akımı ve 1aA/hücrenin (1.0 x 10-18 A/hücre) altında ultra düşük bir KAPALI akımı elde eder. OCTRAM yapısında, InGaZnO dikey transistörü, yüksek en-boy oranlı bir kapasitörün (önce kapasitör süreci) üzerine entegre edilmiştir. Bu düzenleme, gelişmiş kapasitör süreci ile InGaZnO performansı arasındaki etkileşimin ayrılmasını sağlar (Şekil 2).
Comments